창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR6.8B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 3.5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZGTR6.8B-ND TFZGTR6.8BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR6.8B | |
| 관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR6.8B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | C1206C102J1GALTU | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C102J1GALTU.pdf | |
![]() | SFR16S0001052FA500 | RES 10.5K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001052FA500.pdf | |
![]() | SS3406B-LF-ADJ | SS3406B-LF-ADJ UTG TO23-5 | SS3406B-LF-ADJ.pdf | |
![]() | SM40CXC864 | SM40CXC864 WESTCODE MODULE | SM40CXC864.pdf | |
![]() | LE28C1001AM-12-MPB | LE28C1001AM-12-MPB SANOY DIP16 | LE28C1001AM-12-MPB.pdf | |
![]() | FS8858-18CR | FS8858-18CR FORTUNE SOT-252 | FS8858-18CR.pdf | |
![]() | L-05C8N2JV4T | L-05C8N2JV4T JOHANSON SMD or Through Hole | L-05C8N2JV4T.pdf | |
![]() | EM6AA160TSA-XXI | EM6AA160TSA-XXI ETRON SMD or Through Hole | EM6AA160TSA-XXI.pdf | |
![]() | SKT6027-2 | SKT6027-2 INF TSSOP | SKT6027-2.pdf | |
![]() | MCP1406T-E/MF | MCP1406T-E/MF MICROCHIP DFN | MCP1406T-E/MF.pdf | |
![]() | NMC0603NPO331J50TRP | NMC0603NPO331J50TRP NIC SMD or Through Hole | NMC0603NPO331J50TRP.pdf | |
![]() | SC-1080 | SC-1080 ORIGINAL SMD or Through Hole | SC-1080.pdf |