창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR3.6B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZGTR3.6B-ND TFZGTR3.6BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR3.6B | |
| 관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR3.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RP73D2A115KBTG | RES SMD 115K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A115KBTG.pdf | |
![]() | RJ4-450V470MJ8 | RJ4-450V470MJ8 ELNA DIP | RJ4-450V470MJ8.pdf | |
![]() | NSWC474J16TRE4F | NSWC474J16TRE4F niccompcom/NSFCEOLpdf SMD or Through Hole | NSWC474J16TRE4F.pdf | |
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![]() | RC5025J681CS | RC5025J681CS SAMSUNG SMD | RC5025J681CS.pdf | |
![]() | RTS5156-GR | RTS5156-GR IC IC | RTS5156-GR.pdf | |
![]() | ADG802BCB-REEL7 | ADG802BCB-REEL7 ADI Call | ADG802BCB-REEL7.pdf | |
![]() | 380C1200K | 380C1200K HONEYWELL SMD or Through Hole | 380C1200K.pdf | |
![]() | LP60-050-4mm | LP60-050-4mm LP DIP | LP60-050-4mm.pdf |