- TEESVB21E335M8R
- 제조업체 부품 번호
- TEESVB21E335M8R
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- TEESVB21E335M8R NEC 3528-19 B2
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TEESVB21E335M8R 가격 및 조달
가능 수량
60950 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TEESVB21E335M8R 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. TEESVB21E335M8R 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TEESVB21E335M8R가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TEESVB21E335M8R 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TEESVB21E335M8R 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TEESVB21E335M8R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TEESVB21E335M8R | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 3528-19 B2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TEESVB21E335M8R | |
| 관련 링크 | TEESVB21E, TEESVB21E335M8R 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
TEESVB21E335M8R 의 관련 제품
| VJ0805D1R9CLCAJ | 1.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R9CLCAJ.pdf | |
 | 407F35E014M3181 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 407F35E014M3181.pdf | |
 | WW12FB18R2 | RES 18.2 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FB18R2.pdf | |
| 215GT2UB23 | 215GT2UB23 ATI QFP208L | 215GT2UB23.pdf | |
| M50560-232P | M50560-232P MIT DIP20 | M50560-232P.pdf | |
| P3337 250 | P3337 250 ORIGINAL DFN10 | P3337 250.pdf | |
| STI3400CV-ES-X-BAX-C | STI3400CV-ES-X-BAX-C ST QFP | STI3400CV-ES-X-BAX-C.pdf | |
| AD7510DIJN* | AD7510DIJN* AD SMD or Through Hole | AD7510DIJN*.pdf | |
| 4400LOYDQ0 | 4400LOYDQ0 INTEL BGA | 4400LOYDQ0.pdf | |
| KB816D-M | KB816D-M MOT/ ourstock | KB816D-M.pdf | |
| MAX14841EASA+T | MAX14841EASA+T MAXIM SOP8 | MAX14841EASA+T.pdf | |
| MH6420 | MH6420 N/A DIP | MH6420.pdf |