창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TDZ5V6J,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TDZxJ Series | |
PCN 설계/사양 | SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 2.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11305-2 934064716115 TDZ5V6J,115-ND TDZ5V6J115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TDZ5V6J,115 | |
관련 링크 | TDZ5V6, TDZ5V6J,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
C0805C122G8GACTU | 1200pF 10V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C122G8GACTU.pdf | ||
TPC12CAHM3/H | TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC TO-277A | TPC12CAHM3/H.pdf | ||
LT30409 | LT30409 LT SMD | LT30409.pdf | ||
10UF/450V | 10UF/450V SENJU SMD or Through Hole | 10UF/450V.pdf | ||
CA3078AS/3 | CA3078AS/3 ORIGINAL CAN | CA3078AS/3.pdf | ||
MCDR1419-220M | MCDR1419-220M ORIGINAL SMD or Through Hole | MCDR1419-220M.pdf | ||
ME7660(DIP8) | ME7660(DIP8) ME DIP8 | ME7660(DIP8).pdf | ||
331054-0010 | 331054-0010 PIC SOP-28 | 331054-0010.pdf | ||
MG600Q1US59A | MG600Q1US59A TOSHIBA SMD or Through Hole | MG600Q1US59A.pdf | ||
IRS21365DJ | IRS21365DJ ORIGINAL PLCC32L | IRS21365DJ.pdf | ||
G6AU-234P-12V | G6AU-234P-12V OMRON SMD or Through Hole | G6AU-234P-12V.pdf |