창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TC6320TG-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TC6320 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014 Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Assembly Site Addition 17/Feb/2015 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Addition 08/Apr/2015 Assembly Site Addition 08/Apr/2015 | |
PCN 포장 | Reel Design Update 07/May/2015 Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 3,300 | |
다른 이름 | TC6320TG-G-ND TC6320TG-GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TC6320TG-G | |
관련 링크 | TC6320, TC6320TG-G 데이터 시트, Microchip Technology 에이전트 유통 |
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![]() | ADF7021BCPZG4 | ADF7021BCPZG4 AD Original | ADF7021BCPZG4.pdf | |
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![]() | 54ls138j/54ls133j | 54ls138j/54ls133j ORIGINAL SOPDIP | 54ls138j/54ls133j.pdf | |
![]() | PCSDR74-101M-RC | PCSDR74-101M-RC ALLIED SMD | PCSDR74-101M-RC.pdf |