창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TC58DAM72F1X8J3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TC58DAM72F1X8J3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | BGA | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TC58DAM72F1X8J3 | |
관련 링크 | TC58DAM72, TC58DAM72F1X8J3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | B43504B2108M | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 140 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B2108M.pdf | |
![]() | 102S42E5R6BV4E | 5.6pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E5R6BV4E.pdf | |
![]() | ERB21B5C2E180JDX1L | 18pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ERB21B5C2E180JDX1L.pdf | |
![]() | LQW18AN6N8C80D | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 40 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN6N8C80D.pdf | |
![]() | DSEK60-02 | DSEK60-02 ORIGINAL TO-247 | DSEK60-02.pdf | |
![]() | CHP1-100 3R01F13 | CHP1-100 3R01F13 ORIGINAL SMD or Through Hole | CHP1-100 3R01F13.pdf | |
![]() | 12103C105KAT2At | 12103C105KAT2At AVX SMD or Through Hole | 12103C105KAT2At.pdf | |
![]() | TZ03R121F16900B00 | TZ03R121F16900B00 MURATA DIP | TZ03R121F16900B00.pdf | |
![]() | DF05 | DF05 SEP/LT SMD DIP | DF05.pdf | |
![]() | 2SK4059TK-B(T5LC.E | 2SK4059TK-B(T5LC.E TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK4059TK-B(T5LC.E.pdf | |
![]() | ERG3SJ470A | ERG3SJ470A MAT RES | ERG3SJ470A.pdf | |
![]() | K4H560838F-TCB3/ | K4H560838F-TCB3/ SAMSUNG TSOP | K4H560838F-TCB3/.pdf |