창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TC55B8128P-15 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TC55B8128P-15 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP-32 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TC55B8128P-15 | |
| 관련 링크 | TC55B81, TC55B8128P-15 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B43508A2228M7 | 2200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 55 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508A2228M7.pdf | |
![]() | VJ0805D470KXXAC | 47pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D470KXXAC.pdf | |
![]() | VJ1812A181JBFAT4X | 180pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A181JBFAT4X.pdf | |
![]() | APTGT50H120T3G | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | APTGT50H120T3G.pdf | |
![]() | AISC-1008-R33G-T | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 1.05 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008-R33G-T.pdf | |
![]() | 2534-74L | 120mH Unshielded Molded Inductor 13.5mA 900 Ohm Max Radial | 2534-74L.pdf | |
![]() | CP0603V1880BNTR | RF Directional Coupler PCS 1.85GHz ~ 1.91GHz 0603 (1608 Metric) | CP0603V1880BNTR.pdf | |
![]() | 10PWD | 10PWD JAPAN DIP | 10PWD.pdf | |
![]() | 2SB1314. | 2SB1314. MIT SMD or Through Hole | 2SB1314..pdf | |
![]() | 2510-6002UG | 2510-6002UG M SMD or Through Hole | 2510-6002UG.pdf | |
![]() | GMA05XR60J104ME2T | GMA05XR60J104ME2T MURATA SMD | GMA05XR60J104ME2T.pdf | |
![]() | F861BB223M310C | F861BB223M310C KEMET DIP | F861BB223M310C.pdf |