창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-T835T-8T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | T835T-8T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트라이액 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | Snubberless™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트라이액 유형 | Alternistor - 무 스너버 | |
전압 - 오프 상태 | 800V | |
전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 8A | |
전압 - 게이트 트리거(Vgt)(최대) | 1.3V | |
전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 60A, 63A | |
전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 35mA | |
전류 - 홀드(Ih)(최대) | 40mA | |
구성 | 단일 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14002-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | T835T-8T | |
관련 링크 | T835, T835T-8T 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | SIT9002AI-482N33EB68.75000Y | OSC XO 68.75MHZ OE | SIT9002AI-482N33EB68.75000Y.pdf | |
![]() | CV105X5R105M35> | CV105X5R105M35> AVX SMD or Through Hole | CV105X5R105M35>.pdf | |
![]() | M64590FP | M64590FP MIT PQFP | M64590FP.pdf | |
![]() | LXV50VB681M16X20LL | LXV50VB681M16X20LL NEC NULL | LXV50VB681M16X20LL.pdf | |
![]() | H2C-8R | H2C-8R OMRON/ null | H2C-8R.pdf | |
![]() | PTZ12ATE25 | PTZ12ATE25 ROHM (SOD-106) | PTZ12ATE25.pdf | |
![]() | RJL-63V270MF3 | RJL-63V270MF3 ELNA DIP | RJL-63V270MF3.pdf | |
![]() | 1SS184(T5L,F,T) | 1SS184(T5L,F,T) TOS SMD or Through Hole | 1SS184(T5L,F,T).pdf | |
![]() | LACK | LACK LT QFN | LACK.pdf | |
![]() | RDL30V090F | RDL30V090F Protectronics 30V0.9A | RDL30V090F.pdf | |
![]() | DTA114GUA-K24 | DTA114GUA-K24 ORIGINAL SOT323 | DTA114GUA-K24.pdf | |
![]() | 200LLE18M10X12.5 | 200LLE18M10X12.5 RUBYCON DIP-2 | 200LLE18M10X12.5.pdf |