창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SZMMSZ5261BT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
| PCN 조립/원산지 | SOD-123 Devices Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 Assembly/Test Site Addition 07/Jan/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 105옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 36V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SZMMSZ5261BT3G | |
| 관련 링크 | SZMMSZ52, SZMMSZ5261BT3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GRM2165C1HR70CD01D | 0.70pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2165C1HR70CD01D.pdf | |
| SIHP22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB | SIHP22N65E-GE3.pdf | ||
![]() | LQW15AN9N7J80D | 9.7nH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 81 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN9N7J80D.pdf | |
![]() | CDCH10D48/ANP-151KC | 150µH Unshielded Inductor 600mA 610 mOhm Max Nonstandard | CDCH10D48/ANP-151KC.pdf | |
![]() | J7KN-22D-10 110 | 3 POLE 22A 110V | J7KN-22D-10 110.pdf | |
![]() | S-1167B15-I6V2G | S-1167B15-I6V2G ORIGINAL 09 PBF | S-1167B15-I6V2G.pdf | |
![]() | WD150AN97V1 | WD150AN97V1 ORIGINAL DIP | WD150AN97V1.pdf | |
![]() | INA194AIDBV | INA194AIDBV TI SOT-23-5 | INA194AIDBV.pdf | |
![]() | BCM1250B2K650 P22 | BCM1250B2K650 P22 BROADCOM BGA | BCM1250B2K650 P22.pdf | |
![]() | CTT-18D | CTT-18D ORIGINAL SMD or Through Hole | CTT-18D.pdf | |
![]() | ISO7221ADR-TI | ISO7221ADR-TI ORIGINAL SMD or Through Hole | ISO7221ADR-TI.pdf |