창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZMMSZ5251BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Devices Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 Assembly/Test Site Addition 07/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 17V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SZMMSZ5251BT1G | |
관련 링크 | SZMMSZ52, SZMMSZ5251BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
CA0508JRNPO9BN100 | 10pF Isolated Capacitor 4 Array 50V C0G, NP0 0508 (1220 Metric) 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | CA0508JRNPO9BN100.pdf | ||
VJ0603D221MXXAR | 220pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D221MXXAR.pdf | ||
9HT11-32.768KAZC-T | 32.768kHz ±30ppm 수정 9pF 90k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 9HT11-32.768KAZC-T.pdf | ||
SMSC-500M-00 | SMSC-500M-00 Fastron Axial | SMSC-500M-00.pdf | ||
UT62L256BLS/CLS-70LL | UT62L256BLS/CLS-70LL MEMORY SMD | UT62L256BLS/CLS-70LL.pdf | ||
NJM3772 | NJM3772 JRC DIP | NJM3772.pdf | ||
IR7324 | IR7324 IR SOP-8 | IR7324.pdf | ||
MTM55N10 | MTM55N10 MOTOROLA TO-3 | MTM55N10.pdf | ||
254.0012.00 | 254.0012.00 ELEC&ELTEK SMD or Through Hole | 254.0012.00.pdf | ||
FDS5690-NF40 | FDS5690-NF40 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDS5690-NF40.pdf | ||
SGM8541XS/TR | SGM8541XS/TR SGM SMD or Through Hole | SGM8541XS/TR.pdf |