창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84C51ET1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 35.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84C51ET1G | |
관련 링크 | SZBZX84C, SZBZX84C51ET1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | NOJC686M002RWJ | 68µF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 500 mOhm ESR | NOJC686M002RWJ.pdf | |
![]() | TPSV687M006S0040 | TPSV687M006S0040 AVX SMD or Through Hole | TPSV687M006S0040.pdf | |
![]() | ISL4485EIB | ISL4485EIB INTERSIL SOP-8P | ISL4485EIB.pdf | |
![]() | LTC4401-1ES6#T | LTC4401-1ES6#T LT SMD or Through Hole | LTC4401-1ES6#T.pdf | |
![]() | SMLJ40TR-13 | SMLJ40TR-13 Microsemi DO-214AB | SMLJ40TR-13.pdf | |
![]() | SDA52773CP | SDA52773CP ORIGINAL SMD or Through Hole | SDA52773CP.pdf | |
![]() | RP131H121D5-T1-F | RP131H121D5-T1-F RICOH SOT89-6 | RP131H121D5-T1-F.pdf | |
![]() | TCC3331Q-0XX | TCC3331Q-0XX TELECHIPS SMD or Through Hole | TCC3331Q-0XX.pdf | |
![]() | AD5206BRU10-REEL | AD5206BRU10-REEL ADI SMD or Through Hole | AD5206BRU10-REEL.pdf | |
![]() | 4108R-CMO-000 | 4108R-CMO-000 BOUR DIP8 | 4108R-CMO-000.pdf | |
![]() | M5M5V216ATP-85HW | M5M5V216ATP-85HW MISUBISHI SOP | M5M5V216ATP-85HW.pdf |