창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-SYF-1E105M-RA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | SYF-1E105M-RA2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | SYF-1E105M-RA2 | |
관련 링크 | SYF-1E10, SYF-1E105M-RA2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | VJ0603D241MLXAR | 240pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D241MLXAR.pdf | |
![]() | SR302C104JAATR1 | 0.10µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | SR302C104JAATR1.pdf | |
![]() | 445A32E13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32E13M00000.pdf | |
![]() | DMN1019UVT-7 | MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 | DMN1019UVT-7.pdf | |
![]() | L-07W43NJV4T | 43nH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 810 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W43NJV4T.pdf | |
![]() | ERBRON107 885 R2 | ERBRON107 885 R2 ATMEL PLCC | ERBRON107 885 R2.pdf | |
![]() | PLCC32ATNSMT | PLCC32ATNSMT PSC PLCC SKT | PLCC32ATNSMT.pdf | |
![]() | V14MLA1206H-CT | V14MLA1206H-CT AVX SMD or Through Hole | V14MLA1206H-CT.pdf | |
![]() | TL431ADR2G | TL431ADR2G ON SOP8 | TL431ADR2G.pdf | |
![]() | SST25LF080 | SST25LF080 SST SOP8 | SST25LF080.pdf | |
![]() | ADASP-2188NKST-300 | ADASP-2188NKST-300 AD QFP100 | ADASP-2188NKST-300.pdf | |
![]() | TPS60231RGTT | TPS60231RGTT BB/TI QFN16 | TPS60231RGTT.pdf |