창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP90N03-03-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP90N03-03 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 28.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 257nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12065pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP90N03-03-E3 | |
| 관련 링크 | SUP90N03, SUP90N03-03-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | H4121RBCA | RES 121 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4121RBCA.pdf | |
![]() | NLAS3799BMNTBG | NLAS3799BMNTBG ONSEMI R | NLAS3799BMNTBG.pdf | |
![]() | TDA4916GG | TDA4916GG ORIGINAL SOP-24 | TDA4916GG .pdf | |
![]() | L12582 | L12582 LT SMD or Through Hole | L12582.pdf | |
![]() | BC856W 115 | BC856W 115 NXP SOT | BC856W 115.pdf | |
![]() | DP241-8-56A59 | DP241-8-56A59 PLUSE SMD or Through Hole | DP241-8-56A59.pdf | |
![]() | CY7B9234-400JC 200 CYP 05 | CY7B9234-400JC 200 CYP 05 ORIGINAL BGA | CY7B9234-400JC 200 CYP 05.pdf | |
![]() | 6.3YXF6800MEFC(16X25) | 6.3YXF6800MEFC(16X25) ORIGINAL SMD or Through Hole | 6.3YXF6800MEFC(16X25).pdf | |
![]() | HY5118164CSLJC-60 | HY5118164CSLJC-60 HY SOJ42 | HY5118164CSLJC-60.pdf | |
![]() | BSO612CV G LF | BSO612CV G LF infeneon SMD or Through Hole | BSO612CV G LF.pdf | |
![]() | RSB6.8G NOPB | RSB6.8G NOPB ROHM SOD323 | RSB6.8G NOPB.pdf | |
![]() | D9LHS | D9LHS NA BGA | D9LHS.pdf |