창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUP70090E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUP70090E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | ThunderFET® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.9m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUP70090E-GE3 | |
| 관련 링크 | SUP7009, SUP70090E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MLG0402Q3N6ST000 | 3.6nH Unshielded Multilayer Inductor 180mA 1.1 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402Q3N6ST000.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF1272U | RES SMD 12.7K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF1272U.pdf | |
![]() | 2SK2435 | 2SK2435 NEC TO-251 | 2SK2435.pdf | |
![]() | 7EGE1D2021 | 7EGE1D2021 BOSCH PLCC28 | 7EGE1D2021.pdf | |
![]() | ASB00340LT1G | ASB00340LT1G ORIGINAL SOD-423 | ASB00340LT1G.pdf | |
![]() | TR15RAM150 | TR15RAM150 Cincon SMD or Through Hole | TR15RAM150.pdf | |
![]() | MX581SH/883 | MX581SH/883 MAXIM CAN | MX581SH/883.pdf | |
![]() | 3.582692M | 3.582692M ORIGINAL 49U | 3.582692M.pdf | |
![]() | 668A1002BPBFREE | 668A1002BPBFREE BI SMD or Through Hole | 668A1002BPBFREE.pdf | |
![]() | HXT5020 | HXT5020 HXT SSOP24-10 | HXT5020.pdf | |
![]() | GCM1885C1H3R0CD30F | GCM1885C1H3R0CD30F MURATA SMD or Through Hole | GCM1885C1H3R0CD30F.pdf | |
![]() | SEM3202N- | SEM3202N- FSC ZIP | SEM3202N-.pdf |