창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM90P10-19L-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM90P10-19L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 326nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11100pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SUM90P10-19L-E3-ND SUM90P10-19L-E3TR SUM90P1019LE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM90P10-19L-E3 | |
| 관련 링크 | SUM90P10-, SUM90P10-19L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | BLF640U | FET RF 65V 2.17GHZ CDIP2 | BLF640U.pdf | |
![]() | PE2512FKE7W0R068L | RES SMD 0.068 OHM 1% 2W 2512 | PE2512FKE7W0R068L.pdf | |
![]() | E39-F3A | SENS FIBR COAXL .1-.6MM SPOT DIA | E39-F3A.pdf | |
![]() | SB0870 | LIQUID LEVEL SENSORS | SB0870.pdf | |
![]() | PE-1210FT680KTT | PE-1210FT680KTT PULSE MK | PE-1210FT680KTT.pdf | |
![]() | 229.750750MA | 229.750750MA LF SMD or Through Hole | 229.750750MA.pdf | |
![]() | FR21-0002 | FR21-0002 MAXIM QFP | FR21-0002.pdf | |
![]() | 0402CS-6N2XGBW | 0402CS-6N2XGBW STM SMD or Through Hole | 0402CS-6N2XGBW.pdf | |
![]() | CY62157DV30L | CY62157DV30L CYPRESS SMD or Through Hole | CY62157DV30L.pdf | |
![]() | 83384ECB | 83384ECB INTERSIL SOP18 | 83384ECB.pdf | |
![]() | EKMF161ETD101ML25S | EKMF161ETD101ML25S NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMF161ETD101ML25S.pdf |