창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM85N15-19-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM85N15-19 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SUM85N15-19-E3TR SUM85N1519E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM85N15-19-E3 | |
| 관련 링크 | SUM85N15, SUM85N15-19-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RSF1FB5K11 | RES MO 1W 5.11K OHM 1% AXIAL | RSF1FB5K11.pdf | |
![]() | Y078949K0000T0L | RES 49K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y078949K0000T0L.pdf | |
![]() | CEP125-8R2MC | CEP125-8R2MC ORIGINAL 12MMK4 | CEP125-8R2MC.pdf | |
![]() | 326-900 | 326-900 ORIGINAL NEW | 326-900.pdf | |
![]() | LT3663EDCB-3.3#TRPBF | LT3663EDCB-3.3#TRPBF LT QFN | LT3663EDCB-3.3#TRPBF.pdf | |
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![]() | HUN2113 | HUN2113 ORIGINAL SOT-23 | HUN2113.pdf | |
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