창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM70N03-09CP-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM70N03-09CP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM70N03-09CP-E3 | |
| 관련 링크 | SUM70N03-, SUM70N03-09CP-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | M11L16161SA | M11L16161SA N/A NC | M11L16161SA.pdf | |
![]() | ML4425 1S | ML4425 1S ORIGINAL SMD or Through Hole | ML4425 1S.pdf | |
![]() | V86999CAANT | V86999CAANT HAR PLCC | V86999CAANT.pdf | |
![]() | ECA1HFG331 | ECA1HFG331 PANASONIC DIP | ECA1HFG331.pdf | |
![]() | CDRH73-101M | CDRH73-101M SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH73-101M.pdf | |
![]() | SNC54LS257AJ | SNC54LS257AJ TI DIP | SNC54LS257AJ.pdf | |
![]() | CG6750 | CG6750 ORIGINAL SOP-20L | CG6750.pdf | |
![]() | SI9933BDY-TI-E3 | SI9933BDY-TI-E3 ORIGINAL SOP-8 | SI9933BDY-TI-E3.pdf | |
![]() | TMDMK38HAX4CM | TMDMK38HAX4CM AMD PGA | TMDMK38HAX4CM.pdf | |
![]() | P80C31H | P80C31H INT DIP | P80C31H.pdf | |
![]() | RSM8816 | RSM8816 ROSUN SSOP8 | RSM8816.pdf |