창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM70040M-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM70040M | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5100pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SUM70040M-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM70040M-GE3 | |
| 관련 링크 | SUM7004, SUM70040M-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0336T1E6R9CD01D | 6.9pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E6R9CD01D.pdf | |
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![]() | KTR18EZPJ364 | RES SMD 360K OHM 5% 1/4W 1206 | KTR18EZPJ364.pdf | |
![]() | SF2B-H48SL | SENSOR HAND TYPE 20MM 952MM | SF2B-H48SL.pdf | |
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![]() | ITV4E | ITV4E ORIGINAL SMD or Through Hole | ITV4E.pdf | |
![]() | TC94A55FAG | TC94A55FAG TOSHIBA QFP | TC94A55FAG.pdf | |
![]() | ERWY351LGC842MFK0N | ERWY351LGC842MFK0N NIPPONCHEMI SMD or Through Hole | ERWY351LGC842MFK0N.pdf | |
![]() | BCM5706CKFB P13 | BCM5706CKFB P13 BROADCOM BGA | BCM5706CKFB P13.pdf | |
![]() | FS0881H1 | FS0881H1 LGINNOTEK SMD or Through Hole | FS0881H1.pdf | |
![]() | 05FMN-BMTTN-A-TFT | 05FMN-BMTTN-A-TFT JST SMD or Through Hole | 05FMN-BMTTN-A-TFT.pdf |