창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM25P10-138-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM25P10-138-E3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8 m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2110pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM25P10-138-E3 | |
관련 링크 | SUM25P10-, SUM25P10-138-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
2256-20L | 39µH Unshielded Molded Inductor 1.12A 315 mOhm Max Axial | 2256-20L.pdf | ||
PS2861B-1Y-V-A | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP | PS2861B-1Y-V-A.pdf | ||
CW01014R10JE73 | RES 14.1 OHM 13W 5% AXIAL | CW01014R10JE73.pdf | ||
ATMEGA8515-26PZ | ATMEGA8515-26PZ ATMEL DIP | ATMEGA8515-26PZ.pdf | ||
1022A2RQ | 1022A2RQ AD SSOP16 | 1022A2RQ.pdf | ||
HS7027A-1 | HS7027A-1 HOLTEK TO92SOT89SOT23 | HS7027A-1.pdf | ||
DS1315EN | DS1315EN DS TSSOP20 | DS1315EN.pdf | ||
NBSG11MNR2 | NBSG11MNR2 ONSemiconductor 16QFN | NBSG11MNR2.pdf | ||
TPS71229 | TPS71229 TI 10SON | TPS71229.pdf | ||
G4G/1 | G4G/1 VISHAY SMD or Through Hole | G4G/1.pdf | ||
SAFSE881MAMOTROO12 | SAFSE881MAMOTROO12 MURATA SMD or Through Hole | SAFSE881MAMOTROO12.pdf |