창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM120N04-1M7L-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM120N04-1M7L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 285nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11685pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM120N04-1M7L-GE3 | |
관련 링크 | SUM120N04-, SUM120N04-1M7L-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CMF5533R200FKR6 | RES 33.2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5533R200FKR6.pdf | |
![]() | 6090060-251-R | 6090060-251-R ASTRON SMD or Through Hole | 6090060-251-R.pdf | |
![]() | 94MT80KB | 94MT80KB IR SMD or Through Hole | 94MT80KB.pdf | |
![]() | SS1405TS | SS1405TS SEMTECH SOP-8 | SS1405TS.pdf | |
![]() | MAX3311ECUB+T | MAX3311ECUB+T MAXIM MAX-10 | MAX3311ECUB+T.pdf | |
![]() | PRAG74 | PRAG74 OKITA SOP4 | PRAG74.pdf | |
![]() | ADP1712AUJZ-1.1-R7 TEL:82766440 | ADP1712AUJZ-1.1-R7 TEL:82766440 ADI SMD or Through Hole | ADP1712AUJZ-1.1-R7 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 78H12ASM | 78H12ASM JRC TO-3 | 78H12ASM.pdf | |
![]() | BQ2002CSN-SITR | BQ2002CSN-SITR BENCHMAR SOP-8 | BQ2002CSN-SITR.pdf | |
![]() | IRF2807N | IRF2807N IR TO-252 | IRF2807N.pdf | |
![]() | TC551001CFL70 | TC551001CFL70 TOS SOP32 | TC551001CFL70.pdf | |
![]() | XF45061 | XF45061 XYSEMI SMD or Through Hole | XF45061.pdf |