창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM110P04-04L-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM110P04-04L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 350nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM110P04-04L-E3-ND SUM110P04-04L-E3TR SUM110P0404LE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM110P04-04L-E3 | |
관련 링크 | SUM110P04, SUM110P04-04L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | HAU151KBACF0KR | 150pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 N750 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | HAU151KBACF0KR.pdf | |
![]() | V20150S-M3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-220AB | V20150S-M3/4W.pdf | |
![]() | 505A2RMTRW | 505A2RMTRW INFINEON QFP-44L | 505A2RMTRW.pdf | |
![]() | UPD7801G-238 | UPD7801G-238 NEC QUIP | UPD7801G-238.pdf | |
![]() | BUW76G | BUW76G ON TO-3 | BUW76G.pdf | |
![]() | B57891M0474K000 | B57891M0474K000 EPCOS SMD or Through Hole | B57891M0474K000.pdf | |
![]() | STW8N80 | STW8N80 ST TO-3P | STW8N80.pdf | |
![]() | STP65NF06-CN | STP65NF06-CN ORIGINAL A | STP65NF06-CN.pdf | |
![]() | D10SBA10 | D10SBA10 ORIGINAL GBJ | D10SBA10.pdf | |
![]() | EDI8808CA70DB | EDI8808CA70DB EDI SMD or Through Hole | EDI8808CA70DB.pdf | |
![]() | ZX2716 | ZX2716 ZTE BGA | ZX2716.pdf | |
![]() | BD6941FM | BD6941FM ROHM SMD or Through Hole | BD6941FM.pdf |