창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM110N04-2M1P-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM110N04-2M1P | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18800pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 3.13W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM110N04-2M1P-E3 | |
| 관련 링크 | SUM110N04-, SUM110N04-2M1P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 6130A04U | 6130A04U CSR QFN-48 | 6130A04U.pdf | |
![]() | NQ82910GML SL8G5 | NQ82910GML SL8G5 INTEL BGA | NQ82910GML SL8G5.pdf | |
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![]() | XC95216-15PQ160AEM | XC95216-15PQ160AEM XILINX SMD or Through Hole | XC95216-15PQ160AEM.pdf | |
![]() | DS1110S-400 | DS1110S-400 DALLAS/MAXIM SOP16 | DS1110S-400.pdf | |
![]() | CL31C220JGFNNNE | CL31C220JGFNNNE SAMSUNG SMD | CL31C220JGFNNNE.pdf |