홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » SUD70090E-GE3

Vishay BC Components SUD70090E-GE3

SUD70090E-GE3
제조업체 부품 번호
SUD70090E-GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
데이터 시트 다운로드
다운로드
SUD70090E-GE3 가격 및 조달

가능 수량

8561 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 817.54360
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SUD70090E-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SUD70090E-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SUD70090E-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SUD70090E-GE3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SUD70090E-GE3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SUD70090E-GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SUD70090E
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열ThunderFET®
포장벌크
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.9m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs50nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1950pF @ 50V
전력 - 최대125W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252
표준 포장 2,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SUD70090E-GE3
관련 링크SUD7009, SUD70090E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SUD70090E-GE3 의 관련 제품
FUSE 6.3A F PIGTAIL 6.3X32 8020.5076.PT.pdf
CMD11-21VGC ORIGINAL SMD or Through Hole CMD11-21VGC.pdf
71PL127NC SPANSION BGA 71PL127NC.pdf
54548-1871 molex Connector 54548-1871.pdf
131B-4 AST NA 131B-4.pdf
RSM200S-32.768-12.5 IC SMD RSM200S-32.768-12.5.pdf
0402WGF2202TCE roy 10Kreel 0402WGF2202TCE.pdf
AK08012014 SUNNY SMD or Through Hole AK08012014.pdf
HN98F1600R10 HITACHI TSOP56 HN98F1600R10.pdf
SC12S05-2W HLDY SMD or Through Hole SC12S05-2W.pdf
BTW31-600R PHILIPS SMD or Through Hole BTW31-600R.pdf
G965 ORIGINAL DIP G965.pdf