창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUD50P04-15-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUD50P04-15 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | SUD50P04-15-E3-ND SUD50P04-15-E3TR SUD50P0415E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUD50P04-15-E3 | |
| 관련 링크 | SUD50P04, SUD50P04-15-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW060321R5FKEA | RES SMD 21.5 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060321R5FKEA.pdf | |
![]() | RCP0505W910RGWB | RES SMD 910 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505W910RGWB.pdf | |
![]() | TSCDANN015PGUCV | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube 0 mV ~ 26.25 mV (5V) 8-DIP (0.524", 13.30mm), Top Port | TSCDANN015PGUCV.pdf | |
![]() | THYM74A80M-V | THYM74A80M-V SIEMENS SMD or Through Hole | THYM74A80M-V.pdf | |
![]() | SG3091 | SG3091 SG 3P | SG3091.pdf | |
![]() | 1W9V1TB | 1W9V1TB TCKELCJTCON DO-41 | 1W9V1TB.pdf | |
![]() | 3V0 | 3V0 TC DO-35 | 3V0.pdf | |
![]() | AU9380B29-CBL | AU9380B29-CBL ALCOR QFP-48 | AU9380B29-CBL.pdf | |
![]() | L2A1246 | L2A1246 LSI BGA | L2A1246.pdf | |
![]() | P101153 | P101153 STM SMD or Through Hole | P101153.pdf | |
![]() | TLV2242CDR | TLV2242CDR TIS Call | TLV2242CDR.pdf |