창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50N04-8M8P-4GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD50N04-8M8P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 48.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SUD50N04-8M8P-4GE3TR SUD50N04-8M8P-GE3TR SUD50N04-8M8P-GE3TR-ND SUD50N048M8P4GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD50N04-8M8P-4GE3 | |
관련 링크 | SUD50N04-8, SUD50N04-8M8P-4GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
1PMT5927E3/TR7 | DIODE ZENER 12V 3W DO216AA | 1PMT5927E3/TR7.pdf | ||
MY4ZH-AC24 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) 24VAC Coil Socketable | MY4ZH-AC24.pdf | ||
T31-A230X | T31-A230X ORIGINAL DIP | T31-A230X.pdf | ||
3CG31E | 3CG31E CHINA B-1 | 3CG31E.pdf | ||
1981276-4 | 1981276-4 TE/AMP/TYCO Connector | 1981276-4.pdf | ||
G6M-1A 24VDC | G6M-1A 24VDC OMRON SMD or Through Hole | G6M-1A 24VDC.pdf | ||
SUF202B | SUF202B secos SMB(DO-214AA) | SUF202B.pdf | ||
AM29F016D-75EI | AM29F016D-75EI AMD TSOP48 | AM29F016D-75EI.pdf | ||
4N28.3S | 4N28.3S ISOCOM DIPSOP | 4N28.3S.pdf | ||
PE68015 | PE68015 PUL SMT | PE68015.pdf | ||
QR/P4-8P-C 01 | QR/P4-8P-C 01 HRS SMD or Through Hole | QR/P4-8P-C 01.pdf | ||
LT1290BMJ/883 | LT1290BMJ/883 LT DIP | LT1290BMJ/883.pdf |