창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STY145N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STY145N65M5 | |
기타 관련 문서 | STY145N65M5 View All Specifications | |
주요제품 | MDmesh™ V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 138A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 69A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 414nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18500pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 625W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | MAX247™ | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-13638-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STY145N65M5 | |
관련 링크 | STY145, STY145N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CF1JT820R | RES 820 OHM 1W 5% CARBON FILM | CF1JT820R.pdf | ||
PowerBit DM-4 | PowerBit DM-4 AVANEX SMD or Through Hole | PowerBit DM-4.pdf | ||
NIP337M6.3TRD | NIP337M6.3TRD NEC D | NIP337M6.3TRD.pdf | ||
FBS-70 | FBS-70 synergymwave SMD or Through Hole | FBS-70.pdf | ||
C8051F044 | C8051F044 ORIGINAL QFP | C8051F044.pdf | ||
HOA0860-L51 | HOA0860-L51 HONEYWELL SMD or Through Hole | HOA0860-L51.pdf | ||
LL5402D | LL5402D LOGWELL SOP-8 | LL5402D.pdf | ||
MCP121T-315I/TT | MCP121T-315I/TT MICROCHIP SOT-23-3 | MCP121T-315I/TT.pdf | ||
93LC46CT-I/P | 93LC46CT-I/P MICROCHIP DIP-8 | 93LC46CT-I/P.pdf | ||
QM50442526SPN | QM50442526SPN MITSUBISHI DIP | QM50442526SPN.pdf | ||
TL072C. | TL072C. ST SOP8 | TL072C..pdf | ||
ECSFxxExxxKRx | ECSFxxExxxKRx pan SMD or Through Hole | ECSFxxExxxKRx.pdf |