창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STY112N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STY112N65M5 | |
기타 관련 문서 | STY112N65M5 View All Specifications | |
주요제품 | MDmesh V Series Mosfets | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 96A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 47A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 350nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16870pF à 100V | |
전력 - 최대 | 625W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | MAX247™ | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-11236-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STY112N65M5 | |
관련 링크 | STY112, STY112N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 160WA220MEFC18X25 | 220µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 160WA220MEFC18X25.pdf | |
![]() | XRCGB40M000F4G00R0 | 40MHz ±45ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB40M000F4G00R0.pdf | |
![]() | ABM11AIG-40.000MHZ-4-T3 | 40MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM11AIG-40.000MHZ-4-T3.pdf | |
![]() | AD711KM | AD711KM AD DIP-8 | AD711KM.pdf | |
![]() | TA8030F(EL) | TA8030F(EL) TOS SOP | TA8030F(EL).pdf | |
![]() | LD1085CS-5.0 | LD1085CS-5.0 ST TO-263 | LD1085CS-5.0.pdf | |
![]() | T195F08ESB | T195F08ESB EUPEC module | T195F08ESB.pdf | |
![]() | LP5900SDX-3.3/NOPB | LP5900SDX-3.3/NOPB NS SMD or Through Hole | LP5900SDX-3.3/NOPB.pdf | |
![]() | LY20-30P-DLT1-P5E | LY20-30P-DLT1-P5E JAE SMD or Through Hole | LY20-30P-DLT1-P5E.pdf | |
![]() | K2715 #T | K2715 #T ORIGINAL SMD or Through Hole | K2715 #T.pdf | |
![]() | LTO628TBB | LTO628TBB ORIGINAL SMD or Through Hole | LTO628TBB.pdf | |
![]() | SQD65AA75 | SQD65AA75 SANREX SMD or Through Hole | SQD65AA75.pdf |