창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW77N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW77N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STW77N65M5 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 주요제품 | MDmesh V Series Mosfets | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 69A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 34.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-10589-5 STW77N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW77N65M5 | |
| 관련 링크 | STW77N, STW77N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 445W22D12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22D12M00000.pdf | |
![]() | MCD40-12IO6 | MOD THYRISTOR/DIO 1200V SOT-227B | MCD40-12IO6.pdf | |
![]() | CRCW020176R8FKED | RES SMD 76.8 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020176R8FKED.pdf | |
![]() | RN73G2ETDF1003 | RN73G2ETDF1003 KOA 1210 | RN73G2ETDF1003.pdf | |
![]() | DK200B010 | DK200B010 LEM SMD or Through Hole | DK200B010.pdf | |
![]() | MM1Z24/5N | MM1Z24/5N ST SOD-123 | MM1Z24/5N.pdf | |
![]() | 2183.15MA000 | 2183.15MA000 ORIGINAL 3.15AL 250V | 2183.15MA000.pdf | |
![]() | KS51800 | KS51800 SAMSUNG SMD | KS51800.pdf | |
![]() | S-80816ALNP-EAD-T2 | S-80816ALNP-EAD-T2 SEIKO SOT343 | S-80816ALNP-EAD-T2.pdf | |
![]() | MVP4519700 | MVP4519700 PHILIPS SMD or Through Hole | MVP4519700.pdf | |
![]() | A5225-0021 | A5225-0021 ABC SMD or Through Hole | A5225-0021.pdf |