창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW70N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW70N60M2 | |
| 주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 68A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-14226-5 STW70N60M2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW70N60M2 | |
| 관련 링크 | STW70N, STW70N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | UMK105CG2R7DV-F | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | UMK105CG2R7DV-F.pdf | |
![]() | TMK432C226MM-T | 22µF 25V 세라믹 커패시터 X5S 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | TMK432C226MM-T.pdf | |
![]() | TNPW120611R5BEEA | RES SMD 11.5 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120611R5BEEA.pdf | |
![]() | XL9-A | XLR PRO 900MHZ NO/ACCY INT | XL9-A.pdf | |
![]() | IRFR330 | IRFR330 FAIRCHILD TO-252 | IRFR330.pdf | |
![]() | ELJQF1N8DF | ELJQF1N8DF ORIGINAL 040210K | ELJQF1N8DF.pdf | |
![]() | TC7W53FK TEL:82766 | TC7W53FK TEL:82766 TOSHIBA US8 | TC7W53FK TEL:82766.pdf | |
![]() | MB1236 | MB1236 LAMBDA SMD or Through Hole | MB1236.pdf | |
![]() | BAV99DW-7F | BAV99DW-7F ORIGINAL SMD | BAV99DW-7F.pdf | |
![]() | LQLBM2012TR15 | LQLBM2012TR15 ORIGINAL SMD | LQLBM2012TR15.pdf | |
![]() | HEDS9930 | HEDS9930 AGILENT SMD or Through Hole | HEDS9930.pdf | |
![]() | VSC8486JB-10 | VSC8486JB-10 Vitesse SMD or Through Hole | VSC8486JB-10.pdf |