창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW56N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW56N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 62m옴 @ 24.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 358W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-15594-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW56N65M2 | |
| 관련 링크 | STW56N, STW56N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | K102J15C0GF5WH5 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K102J15C0GF5WH5.pdf | |
![]() | FXO-HC735R-53.125 | 53.125MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC735R-53.125.pdf | |
![]() | CW01027R00JE123 | RES 27 OHM 13W 5% AXIAL | CW01027R00JE123.pdf | |
![]() | 3266P-1-200RLF | 3266P-1-200RLF BORUNS SMD or Through Hole | 3266P-1-200RLF.pdf | |
![]() | B43474A9278M | B43474A9278M EPCOS SMD or Through Hole | B43474A9278M.pdf | |
![]() | M28C64-15WMS6T | M28C64-15WMS6T ST SOP-28 | M28C64-15WMS6T.pdf | |
![]() | LM4766TA | LM4766TA NS DIP | LM4766TA.pdf | |
![]() | 4860-33BM | 4860-33BM TELEDY SOP-8 | 4860-33BM.pdf | |
![]() | PM100RSE060 | PM100RSE060 MITSUBIS SMD or Through Hole | PM100RSE060.pdf | |
![]() | RFBPB2012060AM9FNH | RFBPB2012060AM9FNH ORIGINAL MSOP10 | RFBPB2012060AM9FNH.pdf |