창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW35N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx35N65M5 | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-11000-5 STW35N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW35N65M5 | |
| 관련 링크 | STW35N, STW35N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0603YC471K4T2A | 470pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603YC471K4T2A.pdf | |
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![]() | 2N6489 | 2N6489 ON/ST TO-220 | 2N6489.pdf | |
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![]() | PSN104982BB8 | PSN104982BB8 TI SMD or Through Hole | PSN104982BB8.pdf | |
![]() | BYR3045WT | BYR3045WT ORIGINAL DIP/SMD | BYR3045WT.pdf | |
![]() | TRCD74HCT163M | TRCD74HCT163M ORIGINAL SMD or Through Hole | TRCD74HCT163M.pdf | |
![]() | XRD8799AIQ | XRD8799AIQ EXAR SMD or Through Hole | XRD8799AIQ.pdf |