창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW35N60DM2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STW35N60DM2 | |
비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ DM2 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 210W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-16356-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW35N60DM2 | |
관련 링크 | STW35N, STW35N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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2027-09-SM-RPLF | GDT 90V 20% 10KA SURFACE MOUNT | 2027-09-SM-RPLF.pdf | ||
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![]() | Y000799K9000A9L | RES 99.9K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y000799K9000A9L.pdf | |
![]() | AP1R803GMT | AP1R803GMT APEC SMD or Through Hole | AP1R803GMT.pdf | |
![]() | L1A6553 | L1A6553 LSI QFP160 | L1A6553.pdf | |
![]() | SE097 | SE097 ND ZIP12 | SE097.pdf | |
![]() | 3NA3220-2C | 3NA3220-2C SIEMENS SMD or Through Hole | 3NA3220-2C.pdf | |
![]() | 630NH3G | 630NH3G BUSSMANN SMD or Through Hole | 630NH3G.pdf | |
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![]() | SH6601AC | SH6601AC TI TQFP64 | SH6601AC.pdf |