창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW35N60DM2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW35N60DM2 | |
| 비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ DM2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-16356-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW35N60DM2 | |
| 관련 링크 | STW35N, STW35N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008AC-12-33E-98.304000E | OSC XO 3.3V 98.304MHZ | SIT8008AC-12-33E-98.304000E.pdf | |
![]() | PWR220T-20-2002J | RES 20K OHM 20W 5% TO220 | PWR220T-20-2002J.pdf | |
![]() | ICL7660SACPZ | ICL7660SACPZ INTERSIL SMD or Through Hole | ICL7660SACPZ.pdf | |
![]() | VV6406C001-PC | VV6406C001-PC VISION CLCC | VV6406C001-PC.pdf | |
![]() | AP8855A-GA | AP8855A-GA ANSC SOT89-5 | AP8855A-GA.pdf | |
![]() | FB9N60A | FB9N60A IR TO220 | FB9N60A.pdf | |
![]() | MB86833PMT2-G | MB86833PMT2-G FUJUTSU TQFP144 | MB86833PMT2-G.pdf | |
![]() | PTSRX-01-PFC | PTSRX-01-PFC ORIGINAL SMD or Through Hole | PTSRX-01-PFC.pdf | |
![]() | LAH-450V331MS4 | LAH-450V331MS4 ELNA DIP | LAH-450V331MS4.pdf | |
![]() | ELJRE18NGF2(18N) | ELJRE18NGF2(18N) Panasonic/ SMD 0603 | ELJRE18NGF2(18N).pdf | |
![]() | P1168.153T | P1168.153T PULSE SMD or Through Hole | P1168.153T.pdf |