창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW34NM60ND | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx34NM60ND | |
기타 관련 문서 | STW34NM60ND View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 14.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2785pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-11366-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW34NM60ND | |
관련 링크 | STW34N, STW34NM60ND 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | B125C800G-E4/51 | DIODE BRIDGE 0.9A 200V WOG | B125C800G-E4/51.pdf | |
![]() | DSS17-06CR | DIODE SCHOTTKY 600V 17A ISOPLUS | DSS17-06CR.pdf | |
![]() | KAI-0373-ABA-CB-BA | CCD Image Sensor 768H x 484V 11.6µm x 13.6µm 24-CDIP | KAI-0373-ABA-CB-BA.pdf | |
![]() | E32-TC4000-02 | SENSOR FIBER OPTIC 40M W/LENS | E32-TC4000-02.pdf | |
![]() | SD1H334M05011PA180 | SD1H334M05011PA180 ORIGINAL SMD or Through Hole | SD1H334M05011PA180.pdf | |
![]() | X1206KKX7R0BB223 | X1206KKX7R0BB223 ORIGINAL SMD or Through Hole | X1206KKX7R0BB223.pdf | |
![]() | GDZ3.0A | GDZ3.0A PANJIT SOD-323 | GDZ3.0A.pdf | |
![]() | GM1188(1188) | GM1188(1188) GTM SMD or Through Hole | GM1188(1188).pdf | |
![]() | 84615-3 | 84615-3 AMP/TYCO SMD | 84615-3.pdf | |
![]() | G5ELM2596 | G5ELM2596 GTM TO-220-5L | G5ELM2596.pdf | |
![]() | CVM50C80 | CVM50C80 N/A SMD or Through Hole | CVM50C80.pdf |