창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW28N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx28N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 150m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-14292-5 STW28N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW28N60M2 | |
관련 링크 | STW28N, STW28N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | BFC233918183 | 0.018µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC233918183.pdf | |
![]() | LTO100FR0470JTE3 | RES 0.047 OHM 100W 5% TO247 | LTO100FR0470JTE3.pdf | |
![]() | Q2240I-2SI | Q2240I-2SI QUALCOMM QFP | Q2240I-2SI.pdf | |
![]() | 2920M32.5 | 2920M32.5 SPX SOT-223 | 2920M32.5.pdf | |
![]() | 2SK302Y | 2SK302Y TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK302Y.pdf | |
![]() | SDC12 | SDC12 N/A QFP | SDC12.pdf | |
![]() | FM08A125V10AT | FM08A125V10AT BUSSMANN SMD or Through Hole | FM08A125V10AT.pdf | |
![]() | H11C3W | H11C3W Fairchi SMD or Through Hole | H11C3W.pdf | |
![]() | UPD17012GF-558-3BE | UPD17012GF-558-3BE NEC QFP | UPD17012GF-558-3BE.pdf | |
![]() | NJU7096R-TE1 | NJU7096R-TE1 JRC MSOP8 | NJU7096R-TE1.pdf | |
![]() | L-53GT-F01 | L-53GT-F01 KINGBRIG SMD or Through Hole | L-53GT-F01.pdf | |
![]() | M34280M1-T18G | M34280M1-T18G MIT SOP | M34280M1-T18G.pdf |