창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW25NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx25NM60N(-1) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 10.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW25NM60N | |
관련 링크 | STW25N, STW25NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | UGB10FCTHE3/45 | DIODE ARRAY GP 300V 5A TO263AB | UGB10FCTHE3/45.pdf | |
DD1274AS-H-6R8N=P3 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 21.3 mOhm Max Nonstandard | DD1274AS-H-6R8N=P3.pdf | ||
![]() | PM638S-8R7-RC | 8.7µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 34 mOhm Max Nonstandard | PM638S-8R7-RC.pdf | |
![]() | IB21264C-1225TPN | IB21264C-1225TPN COMPAQ BGA | IB21264C-1225TPN.pdf | |
![]() | M50927-1A9FP | M50927-1A9FP MITSUBISHI SMD or Through Hole | M50927-1A9FP.pdf | |
![]() | DS42A | DS42A ORIGINAL DIP-10 | DS42A.pdf | |
![]() | Si8441BB-C-IS | Si8441BB-C-IS Silicon SOICW16 | Si8441BB-C-IS.pdf | |
![]() | 6280BQ6/HTA | 6280BQ6/HTA ST QFP100 | 6280BQ6/HTA.pdf | |
![]() | PT4556 | PT4556 TRW SMD or Through Hole | PT4556.pdf | |
![]() | 61085-1 | 61085-1 TYCO SMD or Through Hole | 61085-1.pdf | |
![]() | 0402N1R1C500LTNF | 0402N1R1C500LTNF ORIGINAL SMD | 0402N1R1C500LTNF.pdf | |
![]() | KSU213W | KSU213W C&K/ITT SMD or Through Hole | KSU213W.pdf |