창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW21N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx21N65M5 | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-10654-5 STW21N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW21N65M5 | |
| 관련 링크 | STW21N, STW21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | T9AV1H22-24 | RELAY GEN PURP | T9AV1H22-24.pdf | |
![]() | RC0805DR-0756KL | RES SMD 56K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-0756KL.pdf | |
![]() | Y40455R00000F0W | RES SMD 5 OHM 1% 1/20W 0505 | Y40455R00000F0W.pdf | |
![]() | CPR05R1500KB14 | RES 0.15 OHM 5W 10% RADIAL | CPR05R1500KB14.pdf | |
![]() | P51-300-G-G-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-G-MD-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | 25MHZ(FA-365) | 25MHZ(FA-365) EPSON 3.5X6-2P | 25MHZ(FA-365).pdf | |
![]() | ADG441AK/883 | ADG441AK/883 AD CDIP16 | ADG441AK/883.pdf | |
![]() | CS16LV20493GI-55 | CS16LV20493GI-55 CHIPLUS TSOP2-44 | CS16LV20493GI-55.pdf | |
![]() | MIM-5383K1F | MIM-5383K1F UNI SMD or Through Hole | MIM-5383K1F.pdf | |
![]() | 4607X-1T1-502LF | 4607X-1T1-502LF Bourns DIP | 4607X-1T1-502LF.pdf | |
![]() | GV2-P05 | GV2-P05 ORIGINAL SMD or Through Hole | GV2-P05.pdf |