창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW20N95K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx20N95K5 | |
기타 관련 문서 | STW20N95K5 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 950V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-12872-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW20N95K5 | |
관련 링크 | STW20N, STW20N95K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | DPM4P33K | 0.33µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.433" W (26.00mm x 11.00mm) | DPM4P33K.pdf | |
![]() | ERA-1AEB3401C | RES SMD 3.4K OHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB3401C.pdf | |
![]() | 60N04 | 60N04 Renesas TO-263 | 60N04.pdf | |
![]() | SP-450-033-03 | SP-450-033-03 Microsemi SMD or Through Hole | SP-450-033-03.pdf | |
![]() | LM224N. | LM224N. MOT/ST DIP14 | LM224N..pdf | |
![]() | MBM29DC800BA-90PFTN | MBM29DC800BA-90PFTN FUJITSU TSOP | MBM29DC800BA-90PFTN.pdf | |
![]() | A70GQ4100AA00K | A70GQ4100AA00K ORIGINAL SMD or Through Hole | A70GQ4100AA00K.pdf | |
![]() | CTT49GK-12 | CTT49GK-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | CTT49GK-12.pdf | |
![]() | SKKH570/02E | SKKH570/02E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKH570/02E.pdf | |
![]() | RM835506 | RM835506 ORIGINAL DIP | RM835506.pdf | |
![]() | CL21B221KDCNNN | CL21B221KDCNNN SAMSUNG() SMD or Through Hole | CL21B221KDCNNN.pdf |