창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW15NK50Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx15NK50Z(FP,-1) | |
| 기타 관련 문서 | STW15NK50Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 106nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2260pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | -50°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-3260-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW15NK50Z | |
| 관련 링크 | STW15N, STW15NK50Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | UH2DHE3/52T | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | UH2DHE3/52T.pdf | |
![]() | CMF6557K600FKEA11 | RES 57.6K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6557K600FKEA11.pdf | |
![]() | 0402F683M500NT | 0402F683M500NT FH/ SMD or Through Hole | 0402F683M500NT.pdf | |
![]() | 550276 | 550276 MAGNETICS SMD or Through Hole | 550276.pdf | |
![]() | 10LDMSOP | 10LDMSOP N/A SSOP-8 | 10LDMSOP.pdf | |
![]() | CH14194 | CH14194 MC DIP | CH14194.pdf | |
![]() | 2220B474K101CT | 2220B474K101CT NOVACAP SMD or Through Hole | 2220B474K101CT.pdf | |
![]() | TPSMA27HE3/61T | TPSMA27HE3/61T VISHAY DO214 | TPSMA27HE3/61T.pdf | |
![]() | TRJB105K020RRJ | TRJB105K020RRJ AVX SMD | TRJB105K020RRJ.pdf | |
![]() | K4S640832H-TC75 | K4S640832H-TC75 SAMSUNG TSOP-56 | K4S640832H-TC75.pdf | |
![]() | TLVAIC12KIRHBTG4 | TLVAIC12KIRHBTG4 TI/BB QFN32 | TLVAIC12KIRHBTG4.pdf |