창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU7NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7NM60N | |
기타 관련 문서 | STU7NM60N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 363pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-12367 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STU7NM60N | |
관련 링크 | STU7N, STU7NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | CX3225SB24576D0GPSCC | 24.576MHz ±15ppm 수정 8pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225SB24576D0GPSCC.pdf | |
![]() | 416F520XXATT | 52MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F520XXATT.pdf | |
![]() | RC2512FK-0718KL | RES SMD 18K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0718KL.pdf | |
![]() | RT0805WRC0729K4L | RES SMD 29.4KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC0729K4L.pdf | |
![]() | 110C3-433A | AM 433MHZ POCKET KEYFOB 3 SW, 10 | 110C3-433A.pdf | |
![]() | MJD210TM/KSH200TF | MJD210TM/KSH200TF FAIRCHILD TO-252 | MJD210TM/KSH200TF.pdf | |
![]() | LE45CD | LE45CD ST SOP-8 | LE45CD.pdf | |
![]() | S29GL01GP10FAIR10 | S29GL01GP10FAIR10 SPANSION BGA | S29GL01GP10FAIR10.pdf | |
![]() | URZ1H2R2MCD | URZ1H2R2MCD nic DIP | URZ1H2R2MCD.pdf |