창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU7N80K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7N80K5 | |
기타 관련 문서 | STU7N80K5 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-13656-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STU7N80K5 | |
관련 링크 | STU7N, STU7N80K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | V420LU40BPX2855 | VARISTOR 665V 6.5KA DISC 20MM | V420LU40BPX2855.pdf | |
PM74SB-180M-RC | 18µH Shielded Wirewound Inductor 1.29A 100 mOhm Max Nonstandard | PM74SB-180M-RC.pdf | ||
![]() | D843 | D843 FSC TO-220 | D843.pdf | |
![]() | EFCH1819TDK6 | EFCH1819TDK6 PANASONIC QFN | EFCH1819TDK6.pdf | |
![]() | MP8786AQ | MP8786AQ Exar SSOP | MP8786AQ.pdf | |
![]() | HP3-M-DC12V | HP3-M-DC12V LYONTEK SOP16 | HP3-M-DC12V.pdf | |
![]() | ABTW | ABTW max 6 SOT-23 | ABTW.pdf | |
![]() | UPD6125A 704 | UPD6125A 704 NEC SMD or Through Hole | UPD6125A 704.pdf | |
![]() | PDTC123JT.215 | PDTC123JT.215 NXP na | PDTC123JT.215.pdf | |
![]() | 50NXA4.7M5X11 | 50NXA4.7M5X11 RUBYCON DIP | 50NXA4.7M5X11.pdf | |
![]() | KAD5657DCM | KAD5657DCM SAMSUNG BGA | KAD5657DCM.pdf | |
![]() | SAA-51T-4-W6.7 | SAA-51T-4-W6.7 JST ROHS | SAA-51T-4-W6.7.pdf |