창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-STSJ3NM50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | STSJ3NM50 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOP8 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | STSJ3NM50 | |
관련 링크 | STSJ3, STSJ3NM50 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | ABLS3-27.000MHZ-D4YF-T | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS3-27.000MHZ-D4YF-T.pdf | |
![]() | FA-238 24.0000MA20W-P3 | 24MHz ±20ppm 수정 11pF 60옴 -30°C ~ 80°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 24.0000MA20W-P3.pdf | |
![]() | SCRH74B-151 | 150µH Shielded Inductor 460mA 880 mOhm Max Nonstandard | SCRH74B-151.pdf | |
![]() | RG3216N-1960-D-T5 | RES SMD 196 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-1960-D-T5.pdf | |
![]() | MSP3417GQGB8V3X | MSP3417GQGB8V3X MICRONAS QFP | MSP3417GQGB8V3X.pdf | |
![]() | NAND256W3A0AZA6 | NAND256W3A0AZA6 ST BGA | NAND256W3A0AZA6.pdf | |
![]() | RCP1900W10 | RCP1900W10 RN SMD | RCP1900W10.pdf | |
![]() | 341S0006-A | 341S0006-A AMD SMD or Through Hole | 341S0006-A.pdf | |
![]() | 5962-3829406MYA | 5962-3829406MYA IDT CLCC | 5962-3829406MYA.pdf | |
![]() | 12512WR-05B | 12512WR-05B YEONHO 1KBag | 12512WR-05B.pdf | |
![]() | EL3751IU | EL3751IU e SSOP | EL3751IU.pdf | |
![]() | 134-5457-210 | 134-5457-210 HITACHICHEMICAL SMD or Through Hole | 134-5457-210.pdf |