창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS4DNFS30L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS4DNFS30L | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연) | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-3227-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS4DNFS30L | |
| 관련 링크 | STS4DN, STS4DNFS30L 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | Y008939K0640TR13L | RES 39.064KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y008939K0640TR13L.pdf | |
![]() | Y094210R0000B0L | RES 10 OHM 2W 0.1% RADIAL | Y094210R0000B0L.pdf | |
![]() | M4311A-A1A | M4311A-A1A LXD QFN | M4311A-A1A.pdf | |
![]() | 12065A221KA700J | 12065A221KA700J ORIGINAL SMD or Through Hole | 12065A221KA700J.pdf | |
![]() | FM200-001-BGA15208 | FM200-001-BGA15208 ORIGINAL BGA | FM200-001-BGA15208.pdf | |
![]() | CM550ES | CM550ES ORIGINAL SMD or Through Hole | CM550ES.pdf | |
![]() | LTADS | LTADS LINEAR SMD or Through Hole | LTADS.pdf | |
![]() | 831-87-032-10-001101 | 831-87-032-10-001101 Precidip SMD or Through Hole | 831-87-032-10-001101.pdf | |
![]() | VJ2220Y155MXAT | VJ2220Y155MXAT VISHAY SMD | VJ2220Y155MXAT.pdf | |
![]() | SO-102 | SO-102 ORIGINAL SMD or Through Hole | SO-102.pdf | |
![]() | STV2240 | STV2240 ST DIP | STV2240.pdf | |
![]() | AD57/003Z-0RL | AD57/003Z-0RL AD SMD or Through Hole | AD57/003Z-0RL.pdf |