창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STS4DNFS30 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STS4DNFS30 | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.7nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 330pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-6187-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STS4DNFS30 | |
관련 링크 | STS4DN, STS4DNFS30 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
CL21C200JC61PNC | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C200JC61PNC.pdf | ||
TC53C2302ECTTR | TC53C2302ECTTR MICROCHI SOT23-5 | TC53C2302ECTTR.pdf | ||
AD400AA80 | AD400AA80 SANREX SMD or Through Hole | AD400AA80.pdf | ||
SEDS-9933#10 | SEDS-9933#10 AGILENT DIP-6 | SEDS-9933#10.pdf | ||
GM76U8128CLLT-85E T/R | GM76U8128CLLT-85E T/R HYNIX SMD or Through Hole | GM76U8128CLLT-85E T/R.pdf | ||
IC189-0322-004*-* | IC189-0322-004*-* YAMAICHI SMD or Through Hole | IC189-0322-004*-*.pdf | ||
C872 | C872 ORIGINAL SMD or Through Hole | C872.pdf | ||
ELC10D272E | ELC10D272E PANASONIC DIP | ELC10D272E.pdf | ||
FCX-02-27.000MHZ | FCX-02-27.000MHZ RIVER 4 8 | FCX-02-27.000MHZ.pdf | ||
AL-HB5GE36H | AL-HB5GE36H APLUS ROHS | AL-HB5GE36H.pdf | ||
LNK603PN/GN | LNK603PN/GN POWER DIP-7 | LNK603PN/GN.pdf |