창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STS15N4LLF3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STS15N4LLF3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2530pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-8488-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STS15N4LLF3 | |
| 관련 링크 | STS15N, STS15N4LLF3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | T95R687M6R3LZSS | 680µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V 2824 (7260 Metric) 90 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R687M6R3LZSS.pdf | |
![]() | RT0603CRC07324RL | RES SMD 324 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC07324RL.pdf | |
![]() | CMF5513R000FKBF | RES 13 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5513R000FKBF.pdf | |
![]() | R15N221J1HL2L | R15N221J1HL2L HITANO SMD or Through Hole | R15N221J1HL2L.pdf | |
![]() | 043232110103800/ | 043232110103800/ kyocera 10P | 043232110103800/.pdf | |
![]() | SWPA4012S5R1NT | SWPA4012S5R1NT ORIGINAL SMD or Through Hole | SWPA4012S5R1NT.pdf | |
![]() | 74AUP1G125DBVR | 74AUP1G125DBVR TEXAS SOT153 | 74AUP1G125DBVR.pdf | |
![]() | MN27C512N | MN27C512N NS SMD or Through Hole | MN27C512N.pdf | |
![]() | CIG | CIG ORIGINAL SOT23-5 | CIG.pdf | |
![]() | CS020G | CS020G ORIGINAL SMD or Through Hole | CS020G.pdf | |
![]() | 4202-001239 | 4202-001239 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4202-001239.pdf | |
![]() | HA1429K | HA1429K ORIGINAL SMD | HA1429K.pdf |