창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STPS8H100DEE-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STPS8H100DEE | |
| 기타 관련 문서 | STPS8H100DEE View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 820mV @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 4.5µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerFlat™(3.3x3.3) | |
| 작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 497-13331-2 STPS8H100DEETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STPS8H100DEE-TR | |
| 관련 링크 | STPS8H100, STPS8H100DEE-TR 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 0835 001 S3B0 181 K | 180pF 세라믹 커패시터 S3B 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | 0835 001 S3B0 181 K.pdf | |
![]() | 3402.0005.22 | FUSE BRD MNT 160MA 63VAC/VDC SMD | 3402.0005.22.pdf | |
![]() | AISR-01-822J | 8.2mH Shielded Wirewound Inductor 30mA 10.4 Ohm Max Radial | AISR-01-822J.pdf | |
![]() | ERG2HJ121H | ERG2HJ121H Panasonic SMD | ERG2HJ121H.pdf | |
![]() | R5F71253VD50 | R5F71253VD50 RENESAS QFP | R5F71253VD50.pdf | |
![]() | 313CL | 313CL TELEDYNE CDIP | 313CL.pdf | |
![]() | SS2H9HE3/5BT | SS2H9HE3/5BT VISHAY DO-214AA(SMB) | SS2H9HE3/5BT.pdf | |
![]() | 2247B | 2247B JRC SOP20 | 2247B.pdf | |
![]() | PHX3N60E | PHX3N60E PH TO- | PHX3N60E.pdf | |
![]() | BYR29-800127 | BYR29-800127 nxp SMD or Through Hole | BYR29-800127.pdf | |
![]() | LRS38822 | LRS38822 SHARP BGA | LRS38822.pdf |