창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP9NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NM60N | |
| 기타 관련 문서 | STP9NM60N View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 745m옴 @ 3.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.4nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 452pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-10966-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP9NM60N | |
| 관련 링크 | STP9N, STP9NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | USP1V3R3MDD1TE | 3.3µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | USP1V3R3MDD1TE.pdf | |
![]() | VJ0402D3R6BLXAJ | 3.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D3R6BLXAJ.pdf | |
![]() | RBE07V20ATE-17 | DIODE SCHOTTKY 20V 700MA UMD2 | RBE07V20ATE-17.pdf | |
![]() | CRCW060386R6FKEA | RES SMD 86.6 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060386R6FKEA.pdf | |
![]() | NEC1685 | NEC1685 NEC SOP-8 | NEC1685.pdf | |
![]() | TA7616 | TA7616 TOSH DIP | TA7616.pdf | |
![]() | P027PH02FK | P027PH02FK WESTCODE Module | P027PH02FK.pdf | |
![]() | BQ24103ARHLR(Texas) | BQ24103ARHLR(Texas) ORIGINAL TI | BQ24103ARHLR(Texas).pdf | |
![]() | RYT119005 | RYT119005 AMD DIP14 | RYT119005.pdf | |
![]() | TC4011BP(N,F) | TC4011BP(N,F) Toshiba DIP-14 | TC4011BP(N,F).pdf | |
![]() | 3B250-24D05 | 3B250-24D05 YCL SMD or Through Hole | 3B250-24D05.pdf | |
![]() | ESW109M016AN3AA | ESW109M016AN3AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESW109M016AN3AA.pdf |