창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP9NM50N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NM50N(-1) | |
| 카탈로그 페이지 | 1535 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-7537-5 STP9NM50N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP9NM50N | |
| 관련 링크 | STP9N, STP9NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | B41044A8477M | 470µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41044A8477M.pdf | |
![]() | IRLR8726PBF | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | IRLR8726PBF.pdf | |
![]() | MP4-1E-1Q-1Q-1Q-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1E-1Q-1Q-1Q-00.pdf | |
![]() | CPSL03R1000FE145 | RES 0.1 OHM 3W 1% 4LEAD | CPSL03R1000FE145.pdf | |
![]() | ABL2-8.000MHZ-B4H-T | ABL2-8.000MHZ-B4H-T abracon SMD or Through Hole | ABL2-8.000MHZ-B4H-T.pdf | |
![]() | K1016-01 | K1016-01 FUJI TO-3P | K1016-01.pdf | |
![]() | G2401DG | G2401DG MNC SMD or Through Hole | G2401DG.pdf | |
![]() | MV64560-BEL1 | MV64560-BEL1 MARVEL SMD or Through Hole | MV64560-BEL1.pdf | |
![]() | 630563 | 630563 NS DIP | 630563.pdf | |
![]() | ELXG630VSN182MQ30S | ELXG630VSN182MQ30S NIPPONCHEMI-COM SMD or Through Hole | ELXG630VSN182MQ30S.pdf | |
![]() | LNSV10G104H | LNSV10G104H lat SMD or Through Hole | LNSV10G104H.pdf |