창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STP7NM80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx7NM80(-1) Datasheet | |
| 기타 관련 문서 | STP7NM80 View All Specifications | |
| 애플리케이션 노트 | The Alalanche Issue Fishbone Diagram for Power Factor Correction Paralleling of Power MOSFETS AN2344 Appl Note | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1,05옴 @ 3,25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 90W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-8813-5 STP7NM80-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STP7NM80 | |
| 관련 링크 | STP7, STP7NM80 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ2225Y223KBBAT4X | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225Y223KBBAT4X.pdf | |
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![]() | B82464G2472M000 | B82464G2472M000 EPCOS SMD | B82464G2472M000.pdf | |
![]() | M50433B-578SP | M50433B-578SP ORIGINAL SMD or Through Hole | M50433B-578SP.pdf | |
![]() | HEDS-9730#54 | HEDS-9730#54 AVAGO SIP-5 | HEDS-9730#54.pdf | |
![]() | FD1029PI | FD1029PI RCA TO-3 | FD1029PI.pdf |