창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP7N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 271pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-13975-5 STP7N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP7N60M2 | |
관련 링크 | STP7N, STP7N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
PG0871.222NLT | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 9.5A 7.6 mOhm Nonstandard | PG0871.222NLT.pdf | ||
RHC2512FT8R87 | RES SMD 8.87 OHM 1% 2W 2512 | RHC2512FT8R87.pdf | ||
AP851 2R J | RES 2 OHM 50W 5% TO220 | AP851 2R J.pdf | ||
STF6045AV | STF6045AV ORIGINAL SMD or Through Hole | STF6045AV.pdf | ||
C3216Y5V1A226ZT000N | C3216Y5V1A226ZT000N TDK SMD or Through Hole | C3216Y5V1A226ZT000N.pdf | ||
XC3S1600E-4FG484C | XC3S1600E-4FG484C XILINX FBGA | XC3S1600E-4FG484C.pdf | ||
814892 | 814892 ORIGINAL SMD or Through Hole | 814892.pdf | ||
VC040214A150TP | VC040214A150TP AVX SMD | VC040214A150TP.pdf | ||
LY2J-AC240V | LY2J-AC240V OMRON DIP | LY2J-AC240V.pdf | ||
MSM6000(CD90-V | MSM6000(CD90-V QUALCOMM BGA | MSM6000(CD90-V.pdf | ||
SI7921DP-T1-E3 | SI7921DP-T1-E3 VISHAY QFN8 | SI7921DP-T1-E3.pdf | ||
68685-603 | 68685-603 FCI SMD or Through Hole | 68685-603.pdf |